拋光後清洗劑是化學機械平坦化（CMP）及研磨過程中至關重要的一步，它能有效地去除拋光或研磨過程中留下的微小顆粒、化學物質和污染物，保證表面清潔，從而提升最終產品的質量。優質的清洗劑不僅具有強效的潔淨能力，還能防止材料腐蝕和表面損傷，保護產品在後續製程中的穩定性。
本產品適用於各種材料，如硅（Si）、碳化矽（SiC）、III-V化合物、銅（Cu）、氧化物（Oxide）等材料的CMP工藝後清洗，並且在不同製程中能夠提供優異的清潔效果，確保晶圓或其他元件的潔淨無缺陷。
拋光後清洗劑在CMP和研磨製程中扮演著關鍵角色，其強效的潔淨力和無腐蝕的特性確保了材料表面的清潔，從而避免缺陷產生並保護材料的後續處理。無論是在半導體製程、碳化矽、III-V化合物、銅或氧化物CMP等工藝中，都能提供高效的清潔效果，滿足不同材料和製程的需求，是提升產品質量和製程穩定性的關鍵產品。
產品特性：
1️⃣ 強效清潔力：能有效去除拋光過程中殘留的顆粒、化學物質和污染物。
2️⃣ 低缺陷率：清洗後的表面無殘留物，避免缺陷產生，保證產品質量。
3️⃣ 無腐蝕性：對材料無腐蝕作用，保護晶圓或其他元件的表面不受損害。
4️⃣ 高潔淨度：可達到高潔淨度標準，確保後續製程中不會產生污染。
5️⃣ 適用多材料：適用於Prime Si、Reclaim Si、SiC、III-V、Cu CMP、Oxide CMP、Pad clean等多種材料和製程。
應用領域：
