From synthesis, formulation, polymerization to application of Nano-Materials. Due to the outstanding performance in Semi- Nanmat CVD. Market share are the Top tier in Taiwan and challenge No 1.

CVD Precursors

南美特提供半導體客戶優質之化學氣相沉積材料（CVD/ALD Precursors)，包含最先進之 high k 及 low k dielectrics 材料，並配合其需求進行客製化合成，純化及包裝，以提高其製程良率。

應用	產品名稱
Dielectrics PMD / IMD	• TEOS / TEPO / TMPO / TEB / TMB
Low K Dielectrics	• 4MS / OMCTS / DMDMOS
High K Dielectrics	• TAETO (Ta₂O₅ Precursor ) • TEMAH / HfCl₄ (ALD HfO₂ Precursor ) • TEMAZ (ALD ZrO₂ Precursor) • TMA (Al₂O₃ Precursor)
Metal Gate and Interconnect Metal	• TDMAT ( TiN Precursor ) • TiCl₄ ( Ti /TiN Precursor ) • PDMAT ( TaN Precursor) • CCTBA (Co Precursor ) • TMA ( Al Precursor )
Low-Temp Nitride / Oxide	• HCDS / 3DMAS / BTBAS
Dopants	• Trans DCE
SAM Coating	• FDTS / BTCSE / DI Water

包材 (Package)

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